?

Log in

No account? Create an account

Предыдущий пост | Следующий пост

Часто для верификации проекта СБИС разработчики таких изделий используют тесты статических параметров, таких, например, как ток потребления. Повышенное значение тока потребления будет сигнализировать о наличии той или иной ошибки.

При условии выполнения определенных правил на этапе проектирования, с помощью контроля тока потребления можно эффективно определять следующие группы ошибок:
- технологические,
- проектные (разводка),
- случайные ошибки.

А именно:
- перемычки


- разрывы проводника


- разрывы затвора


- разрывы стока и истока


- ошибки типа «постоянный уровень 0/1»


- КЗ подзатворного окисела
- тиристорный эффект
- задержки и и пр., связанные с коротким замыканием, отсутствием изоляции и т.д.

Для того, что бы произвести верификацию проекта по результатам анализа измеренных значений тока потребления необходимо при проектировании микросхемы придерживаться минимальных правил:
A1. Узлы затвора и стока (или истока) не должны быть в одной транзисторной группе.
A2. В устойчивом состоянии не должно быть линии проводника с источника питания на землю.
A3. Каждый выход транзисторной группы должен быть соединен с источником питания или землей в устойчивом состоянии.
A4. Внутри транзисторных групп не должно быть контрольных петель.
A5. Подложка (или карман) n-(p-) типа транзистора должна быть соединена с землей (питанием).
A6. В ходе измерения каждый вывод питания должен контролироваться с помощью источника-измерителя.

После проектирования микросхемы с учетом правил А1-А6, необходимо провести моделирование проекта с заведомо включенными ошибками для того, что бы по полученным результатам при измерении тока потребления можно было сделать вывод о конкретном типе дефекта.

Полный текст статьи читайте по ссылке https://drive.google.com/file/d/0B3K9KUyhSiN5c2JEalZMWTl5Smc/view?usp=sharing

Метки:

Записи из этого журнала по тегу «статьи»